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JANTXV2N6770T1

EXSHINE Artikelnummer:EX-JANTXV2N6770T1
Hersteller Artikelnummer:JANTXV2N6770T1
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS Status:Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:2N6764,66,68,70T1
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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JANTXV2N6770T1
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-254AA
Serie Military, MIL-PRF-19500/543
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max) 4W (Ta), 150W (Tc)
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Andere Namen JANTXV2N6770T1-MIL
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer JANTXV2N6770T1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 500V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
Beschreibung MOSFET N-CH
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)

Andere

Andere Namen JANTXV2N6770T1-MIL
Standardpaket 1

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