Foto nur als Referenz Kontaktieren Sie uns für weitere Bilder
NAND04GW4B2CN6E
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-NAND04GW4B2CN6E |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | NAND04GW4B2CN6E |
| Hersteller / Marke: | NUMONYX |
| Kurze Beschreibung: | 4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | NAND04GW4B2CN6E |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
NAND04GW4B2CN6E
Auf Lager: 11714 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
Auf Lager: 11714 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Stromspannung | - |
|---|---|
| Geschwindigkeit | - |
| Serie | NAND04GW4B |
| Verpackung | Original |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | - |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 |
| MFG-Teilecode | NAND04GW4B2CN6E |
| Eigenschaften | - |
| Lieferzeit | 1 Day |
| Datumscode | New |
Sie können die folgenden Zahlungsoptionen auswählen. Bei Fragen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam.
|
|
T / T (Banküberweisung) Erhalt: 1-4 Tage. |
|
|
Paypal Empfangen: sofort. |
|
|
Western Union Empfang: 1-2 Stunden. |
|
|
MoneyGram Empfang: 1-2 Stunden. |
|
|
Alipay Empfangen: sofort. |
Sie können die folgenden Versandoptionen auswählen. Wenden Sie sich an unser Verkaufsteam, um die Versandkosten an Ihre Adresse zu überprüfen.
Wenn Sie unseren Versandservice nicht nutzen möchten, können Sie auch die Abholung von unserem Lager oder den Versand über Ihr Kurierkonto arrangieren.
 |
DHL EXPRESS Lieferzeit: 1-3 Tage. |
 |
FEDEX EXPRESS Lieferzeit: 1-3 Tage. |
 |
UPS EXPRESS Lieferzeit: 2-4 Tage. |
 |
TNT EXPRESS Lieferzeit: 3-6 Tage. |
 |
EMS EXPRESS Lieferzeit: 7-10 Tage. |
Ähnliches Produkt
-
BildMfg. TeilenummerHerstellerKurze BeschreibungDatenblattAuf LagerStückpreisOnline bestellen -
NAND04GW3C2ASTMICROELECTRONICS4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory ICAussichtAnfrage -
NAND04GW3BZBN6ORIGINALNAND04GW3BZBN6 ORIGINAL TSSOP New in stockAussichtAnfrage -
NAND04GW4B2DN6FNUMONYX4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memoriesAussichtAnfrage -
NAND04GW3C2AN6FSTMICROELECTRONICS4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory ICAussichtAnfrage -
NAND04GW4B2CZL1FNUMONYX4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memoriesAussichtAnfrage -
NAND04GW4B2DN1FNUMONYX4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memoriesAussichtAnfrage -
NAND04GW4B2CN1FNUMONYX4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memoriesAussichtAnfrage -
NAND04GW4B2CN1ENUMONYX4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memoriesAussichtAnfrage -
NAND04GW4B2CZL6FNUMONYX4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memoriesAussichtAnfrage -
NAND04GW3C2AN1FSTMICROELECTRONICS4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory ICAussichtAnfrage -
NAND04GW4B2DNUMONYX4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memoriesAussichtAnfrage -
NAND04GW4B2CZL1ENUMONYX4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memoriesAussichtAnfrage -
NAND04GW3C2AN1ESTMICROELECTRONICS4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory ICAussichtAnfrage -
NAND04GW4B2DN1ENUMONYX4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memoriesAussichtAnfrage -
NAND04GW4B2CZL6ENUMONYX4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memoriesAussichtAnfrage -
NAND04GW4B2DN6ENUMONYX4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memoriesAussichtAnfrage -
NAND04GW3C2AN6ESTMICROELECTRONICS4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory ICAussichtAnfrage -
NAND04GW3C2BN6E-NMICRONLow Price NAND04GW3C2BN6E-N MICRON SMD or Through HoleAussichtAnfrage -
NAND04GW4B2CN6FNUMONYX4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memoriesAussichtAnfrage -
NAND04GW3C2BN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 4GBIT 48TSOPAussichtAnfrage
Distributor von NUMONYX
Wir sind ein professioneller Distributor von elektronischen Bauteilen für NUMONYX.
Durchsuchen Sie die von NUMONYX hergestellten Produkte, NUMONYX ist verfügbar. Sie können uns Ihre gewünschte Teilenummer und Menge für ein Angebot senden. Wir werden Ihre Anfrage so schnell wie möglich beantworten und Ihnen den besten Service und die beste Qualität bieten.
Kontakt E-mail: [email protected].