A2T18S162W31GSR3

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-A2T18S162W31GSR3
Hersteller Artikelnummer:	A2T18S162W31GSR3
Hersteller / Marke:	NXP Semiconductors / Freescale
Kurze Beschreibung:	IC TRANS RF LDMOS
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	RF Products Selector Guide A2T18S162W31(G)SR3
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

A2T18S162W31GSR3
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
Zahlung
Versand
Verpackung

Produktparameter

Spannung - Prüfung	28V
Spannung - Nennwert	65V
Transistor-Typ	LDMOS
Supplier Device-Gehäuse	NI-780GS-2L2LA
Serie	-
Leistung	32W
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	NI-780GS-2L2LA
Andere Namen	935322254128
Rauschmaß	-
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	10 Weeks
Hersteller-Teilenummer	A2T18S162W31GSR3
Gewinnen	20.1dB
Frequenz	1.84GHz
Expanded Beschreibung	RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA
Beschreibung	IC TRANS RF LDMOS
Aktuelle Bewertung	-
Strom - Test	1A

Andere

Standardpaket	250
Andere Namen	935322254128

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