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PDTB123ES,126
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-PDTB123ES,126 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | PDTB123ES,126 |
| Hersteller / Marke: | NXP Semiconductors / Freescale |
| Kurze Beschreibung: | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | PDTB123E Series |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
PDTB123ES,126
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) | 2.2k |
| Widerstand - Base (R1) (Ohm) | 2.2k |
| Leistung - max | 500mW |
| Verpackung | Tape & Box (TB) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Andere Namen | 934059142126 PDTB123ES AMO PDTB123ES AMO-ND |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | PDTB123ES,126 |
| Frequenz - Übergang | - |
| Expanded Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 50mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
Andere
| Andere Namen | 934059142126 PDTB123ES AMO PDTB123ES AMO-ND |
|---|---|
| Standardpaket | 2,000 |
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