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PHB119NQ06T,118
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-PHB119NQ06T,118 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | PHB119NQ06T,118 |
| Hersteller / Marke: | NXP Semiconductors / Freescale |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | PHB119NQ06T |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
PHB119NQ06T,118
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 25A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 200W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen | 934058551118 PHB119NQ06T /T3 PHB119NQ06T /T3-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | PHB119NQ06T,118 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2820pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 55V 75A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
Andere
| Andere Namen | 934058551118 PHB119NQ06T /T3 PHB119NQ06T /T3-ND |
|---|---|
| Standardpaket | 800 |
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