PMWD26UN,518

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PMWD26UN,518

EXSHINE Artikelnummer:EX-PMWD26UN,518
Hersteller Artikelnummer:PMWD26UN,518
Hersteller / Marke:NXP Semiconductors / Freescale
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:PMWD26UN
Anwendung:-
Gewicht:-
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PMWD26UN,518
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP
Serie TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Leistung - max 3.1W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Andere Namen 568-2363-2
934057597518
PMWD26UN /T3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer PMWD26UN,518
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1366pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.6nC @ 4.5V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.8A 3.1W Surface Mount 8-TSSOP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.8A

Andere

Standardpaket 2,500
Andere Namen 568-2363-2

934057597518

PMWD26UN /T3

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