PSMN023-80LS,115

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PSMN023-80LS,115

EXSHINE Artikelnummer:EX-PSMN023-80LS,115
Hersteller Artikelnummer:PSMN023-80LS,115
Hersteller / Marke:NXP Semiconductors / Freescale
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:PSMN023-80LS
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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PSMN023-80LS,115
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max) 65W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad
Andere Namen 568-5583-2
934064653115
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer PSMN023-80LS,115
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1295pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 80V 34A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc)

Andere

Standardpaket 1,400
Andere Namen 568-5583-2

934064653115

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