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PHD97NQ03LT,118
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-PHD97NQ03LT,118 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | PHD97NQ03LT,118 |
| Hersteller / Marke: | Nexperia |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 25V 75A DPAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | PHD97NQ03LT |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Auf Lager: 37825000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 25A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 107W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen | 934061139118 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | PHD97NQ03LT,118 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 12V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7nC @ 4.5V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 25V 75A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 75A DPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
Andere
| Andere Namen | 934061139118 |
|---|---|
| Standardpaket | 2,500 |
|
|
T / T (Banküberweisung) Erhalt: 1-4 Tage. |
|
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Paypal Empfangen: sofort. |
|
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Western Union Empfang: 1-2 Stunden. |
|
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MoneyGram Empfang: 1-2 Stunden. |
|
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Alipay Empfangen: sofort. |
 |
DHL EXPRESS Lieferzeit: 1-3 Tage. |
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FEDEX EXPRESS Lieferzeit: 1-3 Tage. |
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UPS EXPRESS Lieferzeit: 2-4 Tage. |
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TNT EXPRESS Lieferzeit: 3-6 Tage. |
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EMS EXPRESS Lieferzeit: 7-10 Tage. |
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