DME914C10R

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DME914C10R

EXSHINE Artikelnummer:EX-DME914C10R
Hersteller Artikelnummer:DME914C10R
Hersteller / Marke:Panasonic
Kurze Beschreibung:TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:DME914C10R
Anwendung:-
Gewicht:-
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DME914C10R
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V, 12V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Transistor-Typ 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Supplier Device-Gehäuse SSMini6-F3-B
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Leistung - max 125mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen DME914C10R-ND
DME914C10RTR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 11 Weeks
Hersteller-Teilenummer DME914C10R
Frequenz - Übergang 300MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 300MHz 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B
Beschreibung TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA, 500mA

Andere

Andere Namen DME914C10R-ND

DME914C10RTR
Standardpaket 8,000

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