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QJD1210010
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-QJD1210010 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | QJD1210010 |
| Hersteller / Marke: | Powerex, Inc. |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | Full SiC & Hybride SiC IGBTs BriefQJD1210010 Preliminary Datasheet |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
QJD1210010
Auf Lager: 53982 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | Module |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 100A, 20V |
| Leistung - max | 1080W |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | Module |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | QJD1210010 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Standard |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 1080W Chassis Mount Module |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A |
Andere
| Standardpaket | 1 |
|---|
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