NP35N04YUG-E1-AY

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-NP35N04YUG-E1-AY
Hersteller Artikelnummer:	NP35N04YUG-E1-AY
Hersteller / Marke:	Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung:	MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	NP35N04YUG
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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NP35N04YUG-E1-AY
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-HSON
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 17.5A, 10V
Verlustleistung (max)	1W (Ta), 77W (Tc)
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Andere Namen	NP35N04YUG-E1-AY-ND NP35N04YUG-E1-AYTR
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	16 Weeks
Hersteller-Teilenummer	NP35N04YUG-E1-AY
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Expanded Beschreibung	N-Channel 40V 35A (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	35A (Tc)

Andere

Andere Namen	NP35N04YUG-E1-AY-ND NP35N04YUG-E1-AYTR
Standardpaket	2,500

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