RJK0856DPB-00#J5

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RJK0856DPB-00#J5

EXSHINE Artikelnummer:EX-RJK0856DPB-00#J5
Hersteller Artikelnummer:RJK0856DPB-00#J5
Hersteller / Marke:Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:RJK0856DPB
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id -
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse LFPAK
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9 mOhm @ 17.5A, 10V
Verlustleistung (max) 65W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669
Andere Namen RJK0856DPB-00#J5-ND
RJK0856DPB-00#J5TR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks
Hersteller-Teilenummer RJK0856DPB-00#J5
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 80V 35A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount LFPAK
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Ta)

Andere

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Standardpaket 2,500

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