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EXSHINE Artikelnummer:	EX-RJL5012DPE-00#J3
Hersteller Artikelnummer:	RJL5012DPE-00#J3
Hersteller / Marke:	Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung:	MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	1
Datenblatt herunterladen:	RJL5012DPE-00#J3
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

RJL5012DPE-00#J3
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Verpackung

Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id	-
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	4-LDPAK
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)	100W (Tc)
Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	SC-83
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	16 Weeks
Hersteller-Teilenummer	RJL5012DPE-00#J3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27.8nC @ 10V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Expanded Beschreibung	N-Channel 500V 12A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Ta)

Andere

Standardpaket	1,000

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