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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > RJM0603JSC-00#12

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RJM0603JSC-00#12

EXSHINE Artikelnummer:EX-RJM0603JSC-00#12
Hersteller Artikelnummer:RJM0603JSC-00#12
Hersteller / Marke:Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung:MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:RJM0603JSC
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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RJM0603JSC-00#12
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse 20-HSOP
Serie Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 10A, 10V
Leistung - max 54W
Verpackung Tray
Verpackung / Gehäuse 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Betriebstemperatur 175°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer RJM0603JSC-00#12
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Typ FET 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Merkmal Logic Level Gate, 4.5V Drive
Expanded Beschreibung Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Beschreibung MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A

Andere

Standardpaket 700

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Distributor von Renesas Electronics America

- RF Digital stellt eine umfangreiche Palette konfigurierbarer Funk-HF-Sender-, Empfänger- und Transceiver-Module her, die für nahezu jede Art von Anwendung geeignet sind. Die Module sind vollständig integriert, von hoher Qualität und niedrigen Kosten, um jede Anwendung zu unterstützen. Die RFDuino Produktlinie bietet eine umfangreiche Palette an Modulen, einschließlich Sensoren, USB, Proto Shields und anderen, um Bluetooth Low Energy in einer Plug-and-Play-Prototypenumgebung zu testen.

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