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SCRH2D11-3R3
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-SCRH2D11-3R3 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | SCRH2D11-3R3 |
| Hersteller / Marke: | Signal Transformer |
| Kurze Beschreibung: | FIXED IND 3.3UH 1.14A 160 MOHM |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | 1 |
| Datenblatt herunterladen: | SCRH2D11 Series |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
SCRH2D11-3R3
Auf Lager: 74353000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Art | - |
|---|---|
| Toleranz | ±30% |
| Supplier Device-Gehäuse | - |
| Größe / Dimension | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
| Abschirmung | Shielded |
| Serie | SCRH2D11 |
| Bewertungen | - |
| Q @ Frequenz | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | Nonstandard |
| Andere Namen | 595-1464-2 SCRH2D11-3R3N SCRH2D113R3 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Material - Kern | - |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | SCRH2D11-3R3 |
| Induktivität | 3.3µH |
| Höhe - eingesteckt (max) | 0.051" (1.30mm) |
| Frequenz - Prüfung | 100kHz |
| Frequenz - Eigenresonanz | - |
| Expanded Beschreibung | 3.3µH Shielded Inductor 1.14A 160 mOhm Max Nonstandard |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 1.14A 160 MOHM |
| DC-Widerstand (DCR) | 160 mOhm Max |
| Aktuelle Bewertung | 1.14A |
| Strom - Sättigung | 600mA |
Andere
| Andere Namen | 595-1464-2 SCRH2D11-3R3N SCRH2D113R3 |
|---|---|
| Standardpaket | 3,000 |
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Distributor von Signal Transformer
- Das Halbleitergeschäft der Seiko Instruments Inc. wurde als separate Joint-Venture-Einheit mit der Bezeichnung SII Semiconductor Corporation durch eine gemeinsame Investition mit der Development Bank of Japan Inc. (DBJ) ausgegliedert und im Januar 2016 in Betrieb genommen Wie im Bereich der M & A-Strategie will das neue Unternehmen eine globale Präsenz in der Halbleiterindustrie aufbauen.