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CSD13302W
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-CSD13302W |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | CSD13302W |
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 12V 1.6A |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | 1 |
| Datenblatt herunterladen: | CSD13302W |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
CSD13302W
Auf Lager: 70104000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 4-DSBGA |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 1.8W (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 4-UFBGA, DSBGA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | CSD13302W |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 862pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 12V 1.6A |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Andere
| Standardpaket | 3,000 |
|---|
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