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CSD18510KCS

EXSHINE Artikelnummer:EX-CSD18510KCS
Hersteller Artikelnummer:CSD18510KCS
Hersteller / Marke:Texas Instruments
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS Status:Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:CSD18510KCS
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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CSD18510KCS
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3
Serie NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max) 250W (Ta)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 3 Weeks
Hersteller-Teilenummer CSD18510KCS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11400pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 4.5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 40V 200A (Ta) 250W (Ta) Through Hole TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Ta)

Andere

Standardpaket 50

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