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CSD18535KTT
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-CSD18535KTT |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | CSD18535KTT |
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 200A |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | 1 |
| Datenblatt herunterladen: | CSD18535KTT |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
CSD18535KTT
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DDPAK/TO-263-3 |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 2 (1 Year) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 20 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | CSD18535KTT |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6620pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 60V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 200A |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200A (Ta) |
Andere
| Standardpaket | 500 |
|---|
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