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CSD19538Q3AT
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-CSD19538Q3AT |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | CSD19538Q3AT |
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 15A VSONP |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | CSD19538Q3AT |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
CSD19538Q3AT
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-VSONP (3x3.15) |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 23W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen | 296-44473-2 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 6 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | CSD19538Q3AT |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 454pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 100V 15A (Ta) 2.8W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 15A VSONP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 15A (Ta) |
Andere
| Andere Namen | 296-44473-2 |
|---|---|
| Standardpaket | 250 |
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