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CSD25301W1015
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-CSD25301W1015 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | CSD25301W1015 |
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | 1 |
| Datenblatt herunterladen: | CSD25301W1015 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
CSD25301W1015
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 1.5W (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-UFBGA, DSBGA |
| Andere Namen | 296-24259-2 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | CSD25301W1015 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | P-Channel 20V 2.2A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.2A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 3,000 |
|---|---|
| Andere Namen | 296-24259-2 |
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