CSD25404Q3T

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CSD25404Q3T

EXSHINE Artikelnummer:EX-CSD25404Q3T
Hersteller Artikelnummer:CSD25404Q3T
Hersteller / Marke:Texas Instruments
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Bleifreier Status / RoHS Status:Enthält Blei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:CSD25404Q3T
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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CSD25404Q3T
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.15V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-VSON (3.3x3.3)
Serie NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN
Andere Namen 296-43210-2
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
Hersteller-Teilenummer CSD25404Q3T
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2120pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.1nC @ 4.5V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung P-Channel 20V 104A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 104A (Tc)

Andere

Andere Namen 296-43210-2
Standardpaket 250

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