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CSD88539NDT
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-CSD88539NDT |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | CSD88539NDT |
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | CSD88539NDT |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
CSD88539NDT
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5A, 10V |
| Leistung - max | 2.1W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | 296-37796-2 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 6 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | CSD88539NDT |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 741pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 15A |
Andere
| Standardpaket | 250 |
|---|---|
| Andere Namen | 296-37796-2 |
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