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TPS1120DG4
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-TPS1120DG4 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | TPS1120DG4 |
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | 1 |
| Datenblatt herunterladen: | TPS1120DG4 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
TPS1120DG4
Auf Lager: 86630 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Leistung - max | 840mW |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | TPS1120DG4 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
| Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 15V 1.17A 840mW Surface Mount 8-SOIC |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 15V |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.17A |
Andere
| Standardpaket | 75 |
|---|
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