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HN1B04FE-GR,LF
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-HN1B04FE-GR,LF |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | HN1B04FE-GR,LF |
| Hersteller / Marke: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Kurze Beschreibung: | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | HN1B04FE |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
HN1B04FE-GR,LF
Auf Lager: 59075000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Transistor-Typ | NPN, PNP |
| Supplier Device-Gehäuse | ES6 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 100mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen | HN1B04FE-GR(5L,F,T HN1B04FE-GR(5LFTTR HN1B04FE-GR(5LFTTR-ND HN1B04FE-GR,LF(B HN1B04FE-GR,LF(T HN1B04FE-GRLF(TTR HN1B04FE-GRLF(TTR-ND HN1B04FE-GRLFTR HN1B04FEGRLFTR HN1B04FEGRLFTR-ND |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | HN1B04FE-GR,LF |
| Frequenz - Übergang | 80MHz |
| Expanded Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 200 @ 2mA, 6V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 150mA |
Andere
| Standardpaket | 4,000 |
|---|---|
| Andere Namen | HN1B04FE-GR(5L,F,T HN1B04FE-GR(5LFTTR HN1B04FE-GR(5LFTTR-ND HN1B04FE-GR,LF(B HN1B04FE-GR,LF(T HN1B04FE-GRLF(TTR HN1B04FE-GRLF(TTR-ND HN1B04FE-GRLFTR HN1B04FEGRLFTR HN1B04FEGRLFTR-ND |
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Distributor von Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. entwickelt hochleistungsfähige analoge IC-Lösungen (Integrated Circuit), die kritische Probleme für Elektronikunternehmen lösen. Unsere proprietären Produkte bieten eine einzigartige Kombination aus Funktionen und Leistung, die anderswo im analogen Markt nicht zu finden ist. Unsere Second-Source-Produkte sind pin-kompatibel und entsprechen den Spezifikationen von Konkurrenzprodukten und bieten eine ideale Alternative für schwer zu sichernde Produkte aus eigener Herstellung. Touchstone wurde 2010 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. Zu den Investoren zählen Opus Capital und Khosla Ventures.
Unsere Mission bei Touchstone Semiconductor ist das Design von hochleistungsfähigen Analog-ICs, mit denen Sie die Probleme Ihrer Kunden lösen können. Dazu entwickeln wir hochleistungsfähige Analog-ICs mit extrem niedrigem Stromverbrauch, die den Stromverbrauch in Ihren Produkten reduzieren.