RN4986FE,LF(CB

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RN4986FE,LF(CB

EXSHINE Artikelnummer:EX-RN4986FE,LF(CB
Hersteller Artikelnummer:RN4986FE,LF(CB
Hersteller / Marke:Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:RN4986FE
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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RN4986FE,LF(CB
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse ES6
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Leistung - max 100mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen RN4986FE(T5L,F,T)
RN4986FE(T5LFT)TR
RN4986FE(T5LFT)TR-ND
RN4986FE,LF(CT
RN4986FELF(CBTR
RN4986FELF(CTTR
RN4986FELF(CTTR-ND
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks
Hersteller-Teilenummer RN4986FE,LF(CB
Frequenz - Übergang 250MHz, 200MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Beschreibung TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Andere

Standardpaket 4,000
Andere Namen RN4986FE(T5L,F,T)

RN4986FE(T5LFT)TR

RN4986FE(T5LFT)TR-ND

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Distributor von Toshiba Semiconductor and Storage

- Touchstone Semiconductor Inc. entwickelt hochleistungsfähige analoge IC-Lösungen (Integrated Circuit), die kritische Probleme für Elektronikunternehmen lösen. Unsere proprietären Produkte bieten eine einzigartige Kombination aus Funktionen und Leistung, die anderswo im analogen Markt nicht zu finden ist. Unsere Second-Source-Produkte sind pin-kompatibel und entsprechen den Spezifikationen von Konkurrenzprodukten und bieten eine ideale Alternative für schwer zu sichernde Produkte aus eigener Herstellung. Touchstone wurde 2010 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. Zu den Investoren zählen Opus Capital und Khosla Ventures.
Unsere Mission bei Touchstone Semiconductor ist das Design von hochleistungsfähigen Analog-ICs, mit denen Sie die Probleme Ihrer Kunden lösen können. Dazu entwickeln wir hochleistungsfähige Analog-ICs mit extrem niedrigem Stromverbrauch, die den Stromverbrauch in Ihren Produkten reduzieren.

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