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TPN22006NH,LQ
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-TPN22006NH,LQ |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | TPN22006NH,LQ |
| Hersteller / Marke: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | TPN22006NH |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
TPN22006NH,LQ
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen | TPN22006NH,LQ(S TPN22006NHLQ TPN22006NHLQTR |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | TPN22006NH,LQ |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 60V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Beschreibung | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta) |
Andere
| Standardpaket | 3,000 |
|---|---|
| Andere Namen | TPN22006NH,LQ(S TPN22006NHLQ TPN22006NHLQTR |
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Distributor von Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. entwickelt hochleistungsfähige analoge IC-Lösungen (Integrated Circuit), die kritische Probleme für Elektronikunternehmen lösen. Unsere proprietären Produkte bieten eine einzigartige Kombination aus Funktionen und Leistung, die anderswo im analogen Markt nicht zu finden ist. Unsere Second-Source-Produkte sind pin-kompatibel und entsprechen den Spezifikationen von Konkurrenzprodukten und bieten eine ideale Alternative für schwer zu sichernde Produkte aus eigener Herstellung. Touchstone wurde 2010 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. Zu den Investoren zählen Opus Capital und Khosla Ventures.
Unsere Mission bei Touchstone Semiconductor ist das Design von hochleistungsfähigen Analog-ICs, mit denen Sie die Probleme Ihrer Kunden lösen können. Dazu entwickeln wir hochleistungsfähige Analog-ICs mit extrem niedrigem Stromverbrauch, die den Stromverbrauch in Ihren Produkten reduzieren.