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2N4117A-E3
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-2N4117A-E3 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | 2N4117A-E3 |
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | 2N/PN/SST4117A-4119A Series |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
2N4117A-E3
Auf Lager: 36424 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id | 600mV @ 1nA |
|---|---|
| Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) | 40V |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-206AF (TO-72) |
| Serie | - |
| Resistance - RDS (on) | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | 2N4117A-E3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3pF @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| Expanded Beschreibung | JFET N-Channel 30µA @ 10V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF |
| Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) | 30µA @ 10V |
Andere
| Standardpaket | 200 |
|---|
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Distributor von Vishay Siliconix
- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.