SI1012R-T1-GE3

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SI1012R-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI1012R-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI1012R-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI1012R,X
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SI1012R-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Vgs (Max) ±6V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SC-75A
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-75A
Andere Namen SI1012R-T1-GE3TR
SI1012RT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI1012R-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 20V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA (Ta)

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen SI1012R-T1-GE3TR

SI1012RT1GE3

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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