SI1330EDL-T1-GE3

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SI1330EDL-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI1330EDL-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI1330EDL-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 240MA SC-70-3
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI1330EDL
Anwendung:-
Gewicht:-
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SI1330EDL-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 250mA, 10V
Verlustleistung (max) 280mW (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323
Andere Namen SI1330EDL-T1-GE3TR
SI1330EDLT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI1330EDL-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 60V 240mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 240MA SC-70-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240mA (Ta)

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen SI1330EDL-T1-GE3TR

SI1330EDLT1GE3

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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