SI1902DL-T1-GE3

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SI1902DL-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI1902DL-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI1902DL-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI1902DL
Anwendung:-
Gewicht:-
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SI1902DL-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6 (SOT-363)
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385 mOhm @ 660mA, 4.5V
Leistung - max 270mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen SI1902DL-T1-GE3TR
SI1902DLT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI1902DL-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 660mA

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen SI1902DL-T1-GE3TR

SI1902DLT1GE3

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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