SI1922EDH-T1-GE3

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SI1922EDH-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI1922EDH-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI1922EDH-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:Si1922EDH
Anwendung:-
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SI1922EDH-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6 (SOT-363)
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 198 mOhm @ 1A, 4.5V
Leistung - max 1.25W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen SI1922EDH-T1-GE3TR
SI1922EDHT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI1922EDH-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 8V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.3A

Andere

Andere Namen SI1922EDH-T1-GE3TR

SI1922EDHT1GE3
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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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