SI2318CDS-T1-GE3

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SI2318CDS-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI2318CDS-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI2318CDS-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:Si2318CDS
Anwendung:-
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SI2318CDS-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 4.3A, 10V
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen SI2318CDS-T1-GE3TR
SI2318CDST1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI2318CDS-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 40V 5.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Tc)

Andere

Andere Namen SI2318CDS-T1-GE3TR

SI2318CDST1GE3
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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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