SI3460BDV-T1-GE3

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SI3460BDV-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI3460BDV-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI3460BDV-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI3460BDV
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SI3460BDV-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 15 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI3460BDV-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 8V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)

Andere

Standardpaket 3,000

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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