SI3483CDV-T1-GE3

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SI3483CDV-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI3483CDV-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI3483CDV-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI3483CDV
Anwendung:-
Gewicht:-
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 6.1A, 10V
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen SI3483CDV-T1-GE3TR
SI3483CDVT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI3483CDV-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung P-Channel 30V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)

Andere

Andere Namen SI3483CDV-T1-GE3TR

SI3483CDVT1GE3
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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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