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SI4010DY-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI4010DY-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI4010DY-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 31.3A 8SO
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI4010DY
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SI4010DY-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Vgs (Max) +20V, -16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max) 6W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen SI4010DY-T1-GE3TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI4010DY-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3595pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 30V 31.3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 31.3A 8SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31.3A (Tc)

Andere

Andere Namen SI4010DY-T1-GE3TR
Standardpaket 2,500

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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