SI4501BDY-T1-GE3

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SI4501BDY-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI4501BDY-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI4501BDY-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI4501BDY
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SI4501BDY-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 10A, 10V
Leistung - max 4.5W, 3.1W
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen SI4501BDY-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI4501BDY-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 805pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Typ FET N and P-Channel, Common Drain
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V, 8V
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A, 8A

Andere

Standardpaket 1
Andere Namen SI4501BDY-T1-GE3DKR

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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