SI4532CDY-T1-GE3

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SI4532CDY-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI4532CDY-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI4532CDY-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI4532CDY
Anwendung:-
Gewicht:-
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SI4532CDY-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47 mOhm @ 3.5A, 10V
Leistung - max 2.78W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen SI4532CDY-T1-GE3-ND
SI4532CDY-T1-GE3TR
SI4532CDYT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI4532CDY-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 305pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
Typ FET N and P-Channel
FET-Merkmal Standard
Expanded Beschreibung Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A, 4.3A

Andere

Standardpaket 2,500
Andere Namen SI4532CDY-T1-GE3-ND

SI4532CDY-T1-GE3TR

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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