SI4816BDY-T1-GE3

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SI4816BDY-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI4816BDY-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI4816BDY-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:Si4816BDY
Anwendung:-
Gewicht:-
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SI4816BDY-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V
Leistung - max 1W, 1.25W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen SI4816BDY-T1-GE3TR
SI4816BDYT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI4816BDY-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V
Typ FET 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.8A, 8.2A

Andere

Standardpaket 2,500
Andere Namen SI4816BDY-T1-GE3TR

SI4816BDYT1GE3

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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