SI4914BDY-T1-GE3

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SI4914BDY-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI4914BDY-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI4914BDY-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI4914BDY
Anwendung:-
Gewicht:-
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SI4914BDY-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 8A, 10V
Leistung - max 2.7W, 3.1W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen SI4914BDY-T1-GE3TR
SI4914BDYT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI4914BDY-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 4.5V
Typ FET 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal Standard
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.4A, 8A

Andere

Andere Namen SI4914BDY-T1-GE3TR

SI4914BDYT1GE3
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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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