SI5855DC-T1-E3

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SI5855DC-T1-E3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI5855DC-T1-E3
Hersteller Artikelnummer:SI5855DC-T1-E3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI5855DC
Anwendung:-
Gewicht:-
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SI5855DC-T1-E3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 1206-8 ChipFET™
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead
Andere Namen SI5855DC-T1-E3TR
SI5855DCT1E3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer SI5855DC-T1-E3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)
Expanded Beschreibung P-Channel 20V 2.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A (Ta)

Andere

Andere Namen SI5855DC-T1-E3TR

SI5855DCT1E3
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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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