SI5902BDC-T1-E3

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SI5902BDC-T1-E3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI5902BDC-T1-E3
Hersteller Artikelnummer:SI5902BDC-T1-E3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI5902BDC
Anwendung:-
Gewicht:-
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SI5902BDC-T1-E3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 1206-8 ChipFET™
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3.1A, 10V
Leistung - max 3.12W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead
Andere Namen SI5902BDC-T1-E3-ND
SI5902BDC-T1-E3TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI5902BDC-T1-E3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A (Tc) 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)

Andere

Andere Namen SI5902BDC-T1-E3-ND

SI5902BDC-T1-E3TR
Standardpaket 3,000

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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