SI7772DP-T1-GE3

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SI7772DP-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI7772DP-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI7772DP-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI7772DP
Anwendung:-
Gewicht:-
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SI7772DP-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8
Serie SkyFET®, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8
Andere Namen SI7772DP-T1-GE3TR
SI7772DPT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI7772DP-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1084pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 30V 35.6A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35.6A (Tc)

Andere

Andere Namen SI7772DP-T1-GE3TR

SI7772DPT1GE3
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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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