SI7858ADP-T1-GE3

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SI7858ADP-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI7858ADP-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI7858ADP-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:Si7858ADP
Anwendung:-
Gewicht:-
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SI7858ADP-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 29A, 4.5V
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8
Andere Namen SI7858ADP-T1-GE3TR
SI7858ADPT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 15 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI7858ADP-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5700pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 4.5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 12V 20A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V
Beschreibung MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta)

Andere

Andere Namen SI7858ADP-T1-GE3TR

SI7858ADPT1GE3
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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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