SI8469DB-T2-E1

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SI8469DB-T2-E1

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI8469DB-T2-E1
Hersteller Artikelnummer:SI8469DB-T2-E1
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI8469DB-T2-E1
Anwendung:-
Gewicht:-
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SI8469DB-T2-E1
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Vgs (Max) ±5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 4-Microfoot
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (max) 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 4-UFBGA
Andere Namen SI8469DB-T2-E1-ND
SI8469DB-T2-E1TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI8469DB-T2-E1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung P-Channel 8V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8V
Beschreibung MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta)

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen SI8469DB-T2-E1-ND

SI8469DB-T2-E1TR

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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