SIA433EDJ-T1-GE3

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SIA433EDJ-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SIA433EDJ-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SIA433EDJ-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SIA433EDJ
Anwendung:-
Gewicht:-
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SIA433EDJ-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 7.6A, 4.5V
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6
Andere Namen SIA433EDJ-T1-GE3TR
SIA433EDJT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SIA433EDJ-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 8V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen SIA433EDJ-T1-GE3TR

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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