SIB415DK-T1-GE3

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SIB415DK-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SIB415DK-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SIB415DK-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SIB415DK
Anwendung:-
Gewicht:-
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SIB415DK-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-75-6L Single
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 87 mOhm @ 4.17A, 10V
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-75-6L
Andere Namen SIB415DK-T1-GE3TR
SIB415DKT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer SIB415DK-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.05nC @ 10V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung P-Channel 30V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)

Andere

Andere Namen SIB415DK-T1-GE3TR

SIB415DKT1GE3
Standardpaket 3,000

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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