SIHD3N50D-GE3

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SIHD3N50D-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SIHD3N50D-GE3
Hersteller Artikelnummer:SIHD3N50D-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SIHD3N50D
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SIHD3N50D-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max) 69W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen SIHD3N50D-GE3CT
SIHD3N50D-GE3CT-ND
SIHD3N50DGE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks
Hersteller-Teilenummer SIHD3N50D-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen SIHD3N50D-GE3CT

SIHD3N50D-GE3CT-ND

SIHD3N50DGE3

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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