SIJA54DP-T1-GE3

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SIJA54DP-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SIJA54DP-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SIJA54DP-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SiJA54DP
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SIJA54DP-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Vgs (Max) +20V, -16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.35 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max) 36.7W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8
Andere Namen SIJA54DP-T1-GE3TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 19 Weeks
Hersteller-Teilenummer SIJA54DP-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 40V 60A (Tc) 36.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)

Andere

Andere Namen SIJA54DP-T1-GE3TR
Standardpaket 3,000

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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