SIR418DP-T1-GE3

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SIR418DP-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SIR418DP-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SIR418DP-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SIR418DP
Anwendung:-
Gewicht:-
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SIR418DP-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max) 39W (Tc)
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8
Andere Namen SIR418DP-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SIR418DP-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 40V 40A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)

Andere

Andere Namen SIR418DP-T1-GE3DKR
Standardpaket 1

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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