SIR642DP-T1-GE3

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SIR642DP-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SIR642DP-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SIR642DP-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SIR462DP
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SIR642DP-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8
Andere Namen SIR642DP-T1-GE3TR
SIR642DPT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer SIR642DP-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4155pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 40V 60A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen SIR642DP-T1-GE3TR

SIR642DPT1GE3

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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